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一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。通过减小传统双向沟槽栅电荷存储型IGBT结构中发射区沿基区顶层延伸的深度，并引入分裂沟槽栅结构，所述分裂沟槽栅结构包括栅电极及其周侧栅介质层和位于栅电极底部且通过栅介...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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