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本发明提供一种阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置，该阻变随机存储器存储单元的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层叠结构，所述层叠结构包括交错层叠的第一电极层和隔离层；在所述层叠结构的侧壁上形成阻变层；至少在所述阻...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。