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本发明提出一种改善临界电压下滑的金属氧化物半导体元件及其制造方法，其包含：阱、绝缘结构、栅极、二轻掺杂扩散区、源极、漏极与补偿掺杂区。补偿掺杂区大致上沿通道长度方向与至少部分绝缘结构凹陷区邻接。由剖视图视之，补偿掺杂区沿信道长度方向与绝缘结...
该专利属于立锜科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过立锜科技股份有限公司授权不得商用。

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