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发光二极管制造技术
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文档序号:18473814
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本实用新型提供一种具高带隙超晶格结构的发光二极管,依次包括:N型导通层,超晶格层,发光层、P型电子阻挡层,P型导通层,其特征在于:所述超晶格层位于所述N型导通层和发光层之间,其由周期结构堆叠而成,其中至少一个周期结构包含第一子层、第二子层和...
该专利属于厦门三安光电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门三安光电有限公司授权不得商用。
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