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本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd...
该专利属于诺瓦尔德股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过诺瓦尔德股份有限公司授权不得商用。

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