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具有双栅极的III族氮化物场效应晶体管制造技术
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文档序号:18466614
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场效应晶体管(FET)包括III‑族氮化物沟道层、沟道层上的III‑族氮化物势垒层、势垒层上的第一电介质、延伸通过第一电介质且部分地或完全地通过势垒层的第一栅极沟槽、第一栅极沟槽的底部和壁上的第二电介质、第一栅极沟槽的第一侧上的源极电极、与...
该专利属于HRL实验室有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过HRL实验室有限责任公司授权不得商用。
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