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本发明提供一种NMOS器件及其制备方法以及显示装置,该制备方法包括:在基板上形成半导体图案;在基板上形成覆盖半导体图案的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成第一导电层,经过刻蚀后形成第一栅极;以第一栅极作为掩模,对半导体图案进行第一掺杂;在栅极绝...该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种NMOS器件及其制备方法以及显示装置,该制备方法包括:在基板上形成半导体图案;在基板上形成覆盖半导体图案的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成第一导电层,经过刻蚀后形成第一栅极;以第一栅极作为掩模,对半导体图案进行第一掺杂;在栅极绝...