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本发明公开了一种聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列电极及其制备方法和应用，该聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列电极以泡沫铜为基底，在基底上负载聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列，Co3O4纳米线的长度为1～1.8μm，直径为100～1...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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