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本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种高稳定性量子点及其制备方法与用途，本发明所述量子点包括CdSeS核，包覆所述CdSeS核的中间核层ZnS层，以及包覆所述中间核层ZnS层的最外层金属氧化物层。本发明制备的量子点稳定性好，利用量子点制备的...
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