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管内电缆导体局部缺陷的连续无损检测装置制造方法及图纸
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文档序号:18451199
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本发明公开了一种管内电缆导体局部缺陷的连续无损检测装置,其体征在于:磁场检测器为前、后、上、下四排霍尔传感器构成的方形霍尔传感器阵列;管内电缆导体依次穿过杜瓦一端的检测入口、励磁线圈的中心、方形霍尔传感器阵列的中心,再从杜瓦另一端的检测出口...
该专利属于西南交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过西南交通大学授权不得商用。
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