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本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一磊晶片，包括衬底及发光外延层，并形成部分发光外延层；在部分发光外延层上形成掩膜层并进行图案化，形成图案化掩膜层；进行蚀刻工艺，使得发光外延层形成图案化凹凸结构；在图案化凹凸结构的凹坑中...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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