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本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法，属于半导体技术领域。包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层，所述多量子阱层包括交替生长的多个量子阱和多个量子垒；在每个所述...
该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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