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本发明公开了一种硅基PiN紫外光电二极管，包括铝电极和镍电极，两电极之间依次附有N型硅衬底、i层氧化镍薄膜和P型氧化镍薄膜。其制备方法是采用磁控溅射设备，利用氧化镍在硅上沉积成膜，形成PiN异质结结构，氧化镍薄膜可作为紫外光吸收层，解决了硅...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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