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一种雪崩耐量增强型的VDMOS器件结构及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域，包括：漏区；位于漏区上的外延层；位于外延层内的第一调整区和第二调整区；位于第一调整区内的第一阱区以及嵌入在所述第一阱区中的源区；位于第二调整区的第二阱区；位于所...
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