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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成伪栅极结构；分别在伪栅极结构两侧的衬底中形成源区和漏区，源区和漏区中具有源漏掺杂离子；在源区和漏区上形成介质层，介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁；去除伪栅极结构，在...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。