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一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在所述鳍部上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面；进行第一刻蚀处理，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成开口；对所述形成有开口的鳍...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。