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本发明提供一种存储器结构及其形成方法，其中，存储器结构包括：第一传输晶体管，所述第一传输晶体管包括第一传输漏区和第一传输源区，第一传输源区和第一传输漏区中具有第一掺杂离子，所述第一传输漏区中的第一掺杂离子浓度与所述第一传输源区中的第一掺杂离...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。