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本发明涉及用于形成取代金属栅极的方法及相关装置，其提供一种方法用以在RMG加工期间排除线空穴及所得装置。数个具体实施例包括形成虚拟栅极于一衬底的PFET区及NFET区上面，各个虚拟栅极有在相对两侧的间隔体，以及填充在间隔体之间的空间的一IL...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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