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本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供表面上形成有多条金属线一半导体衬底；步骤二、形成第一介质层，第一介质层将金属线之间的间隔顶部封口；步骤三、形成作为第一介质层刻蚀时的刻蚀停止层的第二介质层；步骤四、将各金属线正上方的第...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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