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本发明公开了一种三元系PSN‑PZT压电陶瓷片及其制备方法。该三元系PSN‑PZT压电陶瓷片的配方化学计量通式为：Pb1‑x‑yMxZy（Sb1/3Nb2/3）0.02（Zr1/2Ti1/2）0.98+zwt%Bi2O3，x=0～0.17、...该专利属于贵州振华红云电子有限公司;贵州振华电子信息产业技术研究有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过贵州振华红云电子有限公司;贵州振华电子信息产业技术研究有限公司授权不得商用。