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本发明涉及钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜是由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体衬底上的TiO2缓冲层、钴酸锶镧缓冲层以及钛铌镁酸铅铁电薄膜构成；所述氮化镓半导体衬底的取向包括（0002）面，所...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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