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本发明公开了一种生长在Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用，其结构包括Ce：YAG单晶衬底和生长在Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜；Ce：YAG单晶衬底以(111)面为外延面，Ce：YAG单晶衬底与GaN薄膜的取向关系为：...
该专利属于温州大学所有，仅供学习研究参考，未经过温州大学授权不得商用。

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