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本发明提供了一种单面出光LED芯片制备方法，包括：S1依次在蓝宝石衬底上生长包括缓冲层、n型GaN层、发光层、p型GaN层的半导体发光薄膜，分别在n型GaN层和p型GaN层表面制备n电极和p电极，得到正装结构的LED晶圆片；S2对晶圆片进行...
该专利属于晶能光电（江西）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶能光电（江西）有限公司授权不得商用。

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