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本发明属于磁约束聚变技术领域，具体涉及一种托卡马克鼎偏滤器磁场位形构建方法。本发明的方法，设置的第一极向场线圈、第二极向场线圈、第三极向场线圈和第四极向场线圈的几何中心位置与第一X点的距离分别为1～1.5a、1.5～3a、1.5～3a和1....
该专利属于核工业西南物理研究院所有，仅供学习研究参考，未经过核工业西南物理研究院授权不得商用。

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