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一种V掺杂的TiO制造技术
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下载一种V掺杂的TiO的技术资料
文档序号:18414461
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本发明属于半导体材料技术领域,具体涉及一种具有金属导电性和室温铁磁性的V掺杂TiO...
该专利属于山西师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过山西师范大学授权不得商用。
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