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本发明涉及一种基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件及其制造方法。本发明的1S1R器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆阻变层、氧化铌转换层和顶电极层；所述底电极层的厚度为100～300nm，所述阻变层的厚度为15～30nm，所述转换层...
该专利属于湖北大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖北大学授权不得商用。

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