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本发明公开了一种室温纳米线光子数可分辨探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、氧化物层、纳米线半导体和金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的具有丰富表面态纳米线转移到衬底上，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合传统剥离...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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