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本实用新型公开了一种抗压LED芯片，包括：蓝宝石衬底和依次设置在蓝宝石衬底上的缓冲层和N型半导体层，N型半导体层上设有第一通孔，第一通孔上形成第一反射电极，N型半导体层上除第一通孔外的位置处依次设有有源层和P型半导体层，P型半导体层上设有第...
该专利属于深圳市好景光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市好景光电有限公司授权不得商用。

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