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本发明提供了一种磁性隧道结的制造方法,采用了多次氧化与离子束刻蚀的流程，彻底消除了磁性随机存储器记忆层和参考层短路通道的形成，有利于MRAM回路磁性性能、电学性能和产品良率的提升，可用于制造超小型磁性随机存储器的结构单元。...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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