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本发明涉及一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构，从下至上依次为衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层，所述第一上限制层与所述第二上限制层之间设有通过含Al材料的选择性腐蚀溶液...
该专利属于山东华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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