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本发明公开了一种含铌膜的超导量子芯片刻蚀方法，属于超导量子芯片领域。本发明解决了现有量子芯片铌膜刻蚀工艺中刻蚀速度快则产生过刻，基片破损严重，即使刻蚀速度慢也会产生薄膜边缘粗糙，有点状残留且难以去除的问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)清...
该专利属于合肥本源量子计算科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥本源量子计算科技有限责任公司授权不得商用。

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