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本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括外延片，包括衬底材料和依次形成在衬底材料上的缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层；电流阻挡层，形成在P型半导体层上；电流扩展层，形成在P型半导体层上；反射层，形成在电流阻挡...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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