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本发明涉及一种图形化的Si（100）衬底GaN‑HEMT外延片及其制备方法，包括Si衬底，图形化表面，外延层，图形化表面位于Si衬底上，外延层生长于图形化表面上；其中外延层由五部分组成，由下向上分别为成核层，缓冲层，GaN层，势垒层，帽层。...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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