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本发明公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供在金属互连层上的电介质层；在所述电介质层上沉积碳氟化合物层；在所述碳氟化合物层上形成图案化的硬掩模层；以所述硬掩模层为掩模刻蚀所述碳氟化合物层和所述电介质层，...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。