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利用叠层非晶前驱体层制备异质或合金半导体纳米线的方法，1)在单晶硅衬底上，蒸镀设有图案的In、Sn、Ga金属或其组合合金，2)衬底放置PECVD系统，使用氢气等离子体处理样品，使得金属层转变催化液滴；氢气等离子体处理样品1‑10分钟后，呈现...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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