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本实用新型涉及一种前照式图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底形成有对应于像素单元的光电二极管区域；形成于所述半导体衬底上的多层金属互连层；至少一层金属互连层具有：形成于所述光电二极管区域上方的光密介质区域；位于所述光密介质区域周围的...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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