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本发明公开了一种新型等离子体溅射镀膜方法,该装置由控制系统,高、低压储能单元,负极性高压预电离脉冲电路,双极性低压主脉冲电路,脉冲合成电路及等离子体负载组成;提出高压短脉冲对等离子体预电离和高功率双极性脉冲磁控溅射设计方法,对等离子体负载按...该专利属于中国工程物理研究院流体物理研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国工程物理研究院流体物理研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种新型等离子体溅射镀膜方法,该装置由控制系统,高、低压储能单元,负极性高压预电离脉冲电路,双极性低压主脉冲电路,脉冲合成电路及等离子体负载组成;提出高压短脉冲对等离子体预电离和高功率双极性脉冲磁控溅射设计方法,对等离子体负载按...