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掺锆铌酸锂晶体制造技术
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文档序号:1830729
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掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子,锆离子Zr↑[4+]的掺入量大于0.01mol%。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr↑[4+],它的掺杂阈值低,易于生长出高品质的晶体,且抗光折变能力强,...
该专利属于南开大学所有,仅供学习研究参考,未经过南开大学授权不得商用。
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