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本发明提供了一种多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉，其特征是：熔炼室为方形或圆柱形，室壁为双层水冷结构或盘管水冷结构，电子枪垂直向下或水平安装在熔炼室的室壁上，真空系统配置在熔炼室的后方，在送料机构的送料室与熔炼室之间设有隔离阀门，在熔炼室的另一...
该专利属于桂林实创真空数控设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桂林实创真空数控设备有限公司授权不得商用。

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