温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及毛坯或晶片形式的单晶硅，它含有第一轴对称区域，该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有空位类本征点缺陷的附聚，其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约１５ｍｍ的宽度，还涉及其制备方法。...
该专利属于MEMC电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过MEMC电子材料有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。