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本发明公开了一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片包括：具有正反面的键合基板；从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射欧姆接触层往上依次为...
该专利属于南昌大学;南昌黄绿照明有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学;南昌黄绿照明有限公司授权不得商用。

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