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本发明涉及光电探测领域，具体涉及一种石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器及其制备方法；该光电探测器为多层薄膜结构，包括Si衬底层、第一绝缘层、第二绝缘层、石墨烯沟道层、量子点光敏介质层以及源极与漏极；衬底上依次热氧化生长第一绝缘层氧化硅，磁控...该专利属于南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司授权不得商用。