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本发明改进了用于生长单晶硅锭的切克劳斯基（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）方法并提供了具有极佳耐电压特性的氧化层的高质量硅晶片。本发明还提供了可以均匀控制空位缺陷的密度和分布的设备及方法。在１０００～１１００℃的温度范围内，单晶硅锭在锭的温度差异小...
该专利属于希特隆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过希特隆股份有限公司授权不得商用。

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