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一种大尺寸氟化钙单晶的生长方法，其特征是采用双加热温度梯度炉进行生长，具体步骤包括：①坩埚和生长炉的预烧处理；②晶体生长；③高温原位退火。利用本发明方法生长氟化钙单晶具有大尺寸（直径大于２００ｍｍ）、位错密度低（＜１０↑［４］ｃｍ↑［－２］...
该专利属于中国科学院上海光学精密机械研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海光学精密机械研究所授权不得商用。

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