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本发明涉及一种晶体生长装置，尤其是一种采用垂直多坩埚下降法生长晶体的装置。这种电阻加热垂直多坩埚下降晶体生长系统，包括晶体炉、坩埚、晶体台和温度控制装置。晶体炉炉体从外到内包括外壳、保温棉、保温砖层、耐火层、摩根砖、工字砖层和支撑架，其中耐...
该专利属于嘉兴学院;嘉兴市晶英光电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴学院;嘉兴市晶英光电子技术有限公司授权不得商用。

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