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公开了一种制造碲化汞镉（ＣＭＴ）的方法，方法包括通过分子束外延（ＭＢＥ）在衬底上生长一个或多个缓冲层。随后通过金属有机气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长至少一个碲化汞镉Ｈｇ↓［１－ｘ］Ｃｄ↓［ｘ］Ｔｅ层，其中ｘ在（０）和（１）之间，并包括（０）和（...
该专利属于秦内蒂克有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过秦内蒂克有限公司授权不得商用。

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