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本发明涉及一种含Ｇａ氮化物半导体单晶，其特征在于：（ａ）对含Ｇａ氮化物半导体单晶照射波长４５０ｎｍ的光测定的最大反射率为２０％以下，最大反射率和最小反射率之差为１０％以内；（ｂ）通过阴极发光法测定的位错密度的最大值和最小值之比（最大值／最小...
该专利属于三菱化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱化学株式会社授权不得商用。

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