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本发明公开了一种制备二维材料金属电极的掩膜版，包括硅片框架及铜网，所述硅片框架由两片方形硅片与两条长条形硅片呈“口”字形搭接，且搭接部位由导电胶粘合；铜网覆盖在硅片框架两条长条形的硅片上，铜网与两条长条形硅片的重叠部位用双面胶粘合形成铜网掩...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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