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基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片制造技术
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下载基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片的技术资料
文档序号:18261360
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本实用新型提出了一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片,其包括硅晶元芯片基底,所述硅晶元芯片基底包括第一表面和第二表面,在所述硅晶元芯片基底内部设置有腔室,所述腔室在硅晶元芯片基底第二表面有开口或者由键合于硅晶元芯片基底的第二...
该专利属于重庆大学所有,仅供学习研究参考,未经过重庆大学授权不得商用。
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