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公开了一种LDMOS晶体管及其制造方法，包括：在第一掺杂类型的衬底上形成第一掺杂类型的外延层；在外延层的上表面形成栅极结构；在外延层内形成第一掺杂类型的体区以及第二掺杂类型的漂移区，在体区内形成第二掺杂类型源区；在外延层上表面以及栅极结构上...
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